骁龙835规格曝光：10nm 8核心

　　作为高通未来最强处理器，骁龙835一直被大家寄予厚望，甚至有网友认为2017年骁龙835将称霸整个市场！早在去年11月份，高通就曾表示将推出这款采用10nm制成工艺的处理器，据悉它的功能相比前代旗舰在性能上有27%提升，但功耗却下降了40%。

　　高通骁龙系列芯片

　　外界猜测有关于这款处理器的消息最早将会与即将开始的CES展会上流出，不过现在外媒则提前曝光了骁龙835的规格。芯片核心方面，将采用八核心设计（4x2.45GHz大核、4x1.9GHz小核），大小核均为Kryo280架构，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。支持Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm FinFET工艺打造。

　　骁龙835

　　此外，骁龙835将相比前辈们更好的支持于已经兴起的VR设备。而最为抢眼的充电方面，QuickCharge 4.0能实现充电五分钟，提供5小时续航力、15分钟内将设备的电量充到50%，这一数据目前看来非常惊人。

　　LG G6渲染图

　　有报道称，骁龙835已经开始进行生产，并将于今年上半年正式出货。那么谁才是第一个搭载这款芯片的智能手机呢？据外界猜测三星S8、LG G6以及小米6都极有可能成为它的首发产品。